سامسونگ برای اولین بار تشکیل زیاد حافظه ۱ ترابیتی QLC V-NAND را اغاز می‌کند_آفتاب شرق

سامسونگ یکی از بزرگ‌ترین تولیدکنندگان تراشه در سطح جهان به‌شمار می‌رود که محصولات ساخته شده توسط آن، در زیاد تر محصولات این شرکت و دیگر برندها مورد منفعت گیری قرار می‌گیرد. کره‌ای‌ها به‌تازگی اظهار کرده‌اند که تشکیل زیاد حافظه‌های ۱ ترابیتی از نوع QLC V-NAND را اغاز کرده‌اند و به‌زودی می‌توانیم ناظر ورود محصولاتی به بازار با حافظه مذکور باشیم.

حافظه ۱ ترابیت QLC V-NAND چه برتری‌هایی دارد؟

حافظه‌های تازه سامسونگ که از نوع QLC می باشند و از نسل نهم فناوری V-NAND منفعت می‌گیرند، از اهمیت بالایی به‌علت شدت زیاد در خواندن و نوشتن اطلاعات برخوردارند. سامسونگ چندی قبل خبر از گسترش حافظه‌های TLC V-NAND داده‌ می بود و اکنون توانسته با تشکیل زیاد مثالهای QLC، شدت بیشتری را به ارمغان آورد. حافظه ۱ ترابیتی (۱۲۵ گیگابایتی) تازه این شرکت، می‌تواند ۴ بیت را در هر سلول ذخیره کند و چگالی حافظه بیشتری را در همان اندازه اسبق، فراهم سازد.

حافظه ۱ ترابیتی QLC V-NAND نسبت به نسل‌ها و فناوری‌های گسترش قبلی، نزدیک به ۳۰ درصد شدت خواندن و ۵۰ درصد شدت نوشتن بیشتری را اراعه می‌کند. این چنین مصرف انرژی در این نوع از حافظه‌ها در قیاس با قبل، کمتر شده است که از اهمیت بالایی در دستگاه‌های همراه برخوردار است. یکی از مدیران قسمت حافظه سامسونگ در حرف های‌های خود، اشاره کرده است که محصولات تازه این شرکت هم‌زمان با نیاز شدید بازار به حافظه‌های تازه SSD گسترش‌یافته‌اند که می‌توانند قسمت مهمی از نیاز صنعت حافظه به‌خصوص در عرصه هوش‌مصنوعی را فراهم نمایند.

یکی از پیشرفت‌های مهم سامسونگ در ساخت حافظه ۱ ترابیت QLC V-NAND، افزایش تعداد لایه‌های ذخیره‌کننده داده بوده است؛ به‌طوری که ساختار لایه‌ای نزدیک به دو برابر زیاد تر از قبل شده است و بهبود اندازه و محیط اطراف هر سلول هم، توانسته چگالی حافظه نسبت به نسل قبل را تا ۸۶ درصد افزایش دهد. سامسونگ در این فرایند از فناوری Designed Mold منفعت گرفته است؛ فناوری که امکان بهبود خواص مربوط به سلول‌ها در لایه‌های سطحی و داخلی را فراهم می‌سازد. همین نوشته به نگهداری بهتر داده و جلوگیری از صدمه به اطلاعات پشتیبانی کرده و پایداری حافظه‌های تازه این شرکت را ۲۰ درصد نسبت به قبل بهبود داده است.

از دیگر پیشرفت‌های سامسونگ در فرایند ساخت حافظه‌های تازه می‌توان به دو برابر کردن شدت نوشتن داده‌ها اشاره کرد. این کار با حذف عملیات‌های غیرضروری محقق شده است و نه‌تنها شدت بیشتری را در اختیار کاربر قرار می‌دهد؛ بلکه مصرف انرژی حافظه‌های تازه را هم در قیاس با قبل، بهینه‌تر کرده است. تراشه‌های QLC V-NAND به‌صورت عمده در حافظه‌های SSD مورد منفعت گیری قرار می‌گیرند و محصولات بسیاری ازجمله تلفنهای هوشمند، لپ‌تاپ‌ها و کامپیوترهای رومیزی به آنها متکی می باشند. نسل تازه حافظه‌های سامسونگ به گمان زیادً در ابتدا برای مراکز داده و سرورها مورد منفعت گیری قرار می‌گیرند و در ادامه به گمان زیادً ناظر وجود آنها در دستگاه‌های دیگر ازجمله تلفنها و کامپیوترها خواهیم می بود.