محققان چینی با ابداع روش جدیدی موفق شدند نیمه‌رسانای «سلنید ایندیم» (indium selenide) را با کیفیت بالا و در مقیاس زیاد تشکیل کنند؛ ماده‌ای که می‌تواند جانشین نسل جاری تراشه‌های سیلیکونی شود.

تیمی از دانشمندان دانشگاه پکن و دانشگاه رنمین چین روشی نوآورانه برای تشکیل زیاد ماده نیمه‌رسانای «سلنید ایندیم» گسترش داده‌اند. این ماده که با لقب «نیمه‌رسانای طلایی» شناخته می‌شود، پتانسیل بالایی برای ساخت تراشه‌هایی دارد که از فناوری مبتنی بر سیلیکون کارکرد بهتری دارند.

با نزدیک شدن فناوری تراشه‌های سیلیکونی به مرزهای فیزیکی خود، گسترش مواد نیمه‌رسانای تازه با کارایی بالا و مصرف انرژی پایین به یکی از برتری‌های جهانی تبدیل شده است. با وجود مزایای زیاد سلنید ایندیم، تشکیل آن در مقیاس بزرگ و با کیفیت بالا تا بحال ممکن نبوده است. مشکل مهم، نگه داری دقیق نسبت اتمی ۱ به ۱ بین ایندیم و سلنیوم در فرایند تشکیل بوده است.

پیشرفت تازه دانشمندان چین

«لیو کای‌هویی»، استاد فیزیک دانشگاه پکن، توضیح می‌دهد که آنها با منفعت گیری از یک روش تازه، فیلم آمورف سلنید ایندیم و ایندیم جامد را در شرایط بسته حرارت داده‌اند. این فرایند علتتبخیر اتم‌های ایندیم و راه اندازی یک لایه مایع غنی از ایندیم در لبه‌های فیلم شده که در ادامه به شکل‌گیری کریستال‌های با کیفیت و آرایش منظم اتمی منجر شده است.

به حرف های کای‌هویی، این روش نه‌تنها نسبت اتمی صحیح را تشکیل می‌کند، بلکه یکی از مانع ها اساسی انتقال این ماده از سطح آزمایشگاهی به کاربردهای صنعتی را رفع می‌کند.

«چیائو چنگ‌گوانگ»، پژوهشگر دانشکده الکترونیک دانشگاه پکن نیز اظهار کرده که با منفعت گیری از این روش، صفحات ۵ سانتی‌متری سلنید ایندیم ساخته شده و آرایه‌هایی از ترانزیستورها با کارایی بالا تشکیل شده‌اند که قابلیت منفعت گیری مستقیم در تراشه‌های مجتمع را دارند.

دانشمندان چینی می‌گویند این پیشرفت مسیر تازه‌ای برای تشکیل نسل آینده تراشه‌های کم‌مصرف و قوی هموار می‌کند؛ تراشه‌هایی که می‌توانند در حوزه‌هایی همانند هوش مصنوعی، رانندگی خودکار و ابزارهای هوشمند کاربرد گسترده‌ای داشته باشند.